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    武漢科思特電化學(xué)工作站

    武漢科思特電化學(xué)工作站

    簡(jiǎn)要描述:武漢科思特電化學(xué)工作站±2A電流范圍(可擴展至5A,20A); ±10V電壓范圍(可擴展至50V); ±21V槽壓范圍(可擴展至200V); 全浮地式測量; 自由組合測試。

    產(chǎn)品型號: CS150H

    所屬分類(lèi):武漢科思特電化學(xué)工作站

    更新時(shí)間:2023-08-02

    廠(chǎng)商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商

    詳情介紹
    品牌其他品牌電位精度0.1%×滿(mǎn)量程讀數±1mV
    恒電位范圍±2.0v電流范圍2nA~2AmA
    電流精度0.1%×滿(mǎn)量程讀數產(chǎn)地類(lèi)別國產(chǎn)
    價(jià)格區間面議儀器種類(lèi)電化學(xué)工作站
    應用領(lǐng)域醫療衛生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子恒電位控制范圍±10V
    電位控制精度:0.1%×滿(mǎn)量程讀數±1mV電位靈敏度:10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)
    電位上升時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)參比電極輸入阻抗:1012Ω||20pF
    槽壓輸出:±21V (可擴展至±200V)CV和LSV掃描速度:0.001mV~10000V/s
    CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000sSWV頻率:0.001~100KHz
    AD數據采集:16bit@1MHz,20bit @1KHzDA分辨率:16bit
    建立時(shí)間:1μS通訊接口:USB2.0
    外形尺寸(cm):36.4(W)X32.0 (D)X16.0 (H)恒電流控制范圍:±2.0A
    電流控制精度:0.1%×滿(mǎn)量程讀數電流靈敏度:1pA
    電流量程:2nA~2A, 共10檔最大輸出電流:2.0A
    電流掃描增量:1mA @1A/mS電位掃描電位增量:0.076mV @1V/mS
    DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000sCV的最小電位增量:0.075mV
    電流與電位量程:自動(dòng)設置低通濾波器 :8段可編程
    儀器重量:6.5Kg

    1. 產(chǎn)品介紹

     CS電化學(xué)工作站采用全浮地式設計,具有出色的穩定性和度,*硬件和功能完善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了的科研平臺。

    應用
    1)電合成、電沉積(電鍍)、陽(yáng)氧化、電解等反應機理研究;
    2)電化學(xué)分析研究;
    3)能源材料(鋰離子電池、太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和超級電容器等)、*功能材料以及傳感器的性能研究;
    4)金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評價(jià);
    5)緩蝕劑、水質(zhì)穩定劑、涂層以及陰保護效率的快速評價(jià)。

    硬件特點(diǎn)

    雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉換器

    高帶寬高輸入阻抗的放大器

    內置FPGA DDS信號合成器

    高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計

    電壓控制范圍:±10V,槽壓為±21V(可擴展至±200V

    電流控制范圍:±2.0A(可擴展至20A

    電位分辨率:10μV,電流分辨率:1pA(可延伸至100fA  

    軟件特點(diǎn)

    ① 數據分析

     伏安曲線(xiàn)的平滑、積分和微分運算,計算各氧化還原峰的峰電流、峰電位和峰面積等;

    化曲線(xiàn)的三參數或四參數動(dòng)力學(xué)解析,計算Tafel斜率ba,bc,腐蝕電流密度icorr,限擴散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等,還可由電化學(xué)噪聲譜計算功率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。

    ② 實(shí)時(shí)存儲

     CS Studio實(shí)時(shí)存儲測量數據,即使因斷電導致測試中斷,中斷之前的數據也會(huì )自動(dòng)保存。

    ③ 定時(shí)測量

     CS Studio測試軟件具有定時(shí)測量功能, 對于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí),可提前設好測試參數與間隔時(shí)間,讓儀器在無(wú)人值守下自動(dòng)定時(shí)測量,為實(shí)驗提供方便。

    技術(shù)優(yōu)勢

    ① 化曲線(xiàn)

    具有線(xiàn)性化和Tafel化曲線(xiàn)測量功能,用戶(hù)可設定循環(huán)化曲線(xiàn)的陽(yáng)回掃電流(鈍化膜擊穿電流),來(lái)確定材料的點(diǎn)蝕電位和保護電位,評價(jià)晶間腐蝕敏感性。軟件采用非線(xiàn)性擬合算法解析化曲線(xiàn),可用于材料耐蝕性和緩蝕劑性能的快速評價(jià)。

    伏安分析

     能完成線(xiàn)性?huà)呙璺玻?/span>LSV)、循環(huán)伏安(CV)、階梯伏安(SCV)、方波伏安(SWV)、差分脈沖伏安(DPV)、交流伏安(ACV)、溶出伏安等多種電分析方法,集成峰面積、峰電流計算和標準曲線(xiàn)分析功能。

     ③ 電化學(xué)噪聲

    采用高阻跟隨器和零阻電流計測量腐蝕體系自發(fā)的電位與 電流波動(dòng),可用于點(diǎn)蝕、電偶腐蝕、縫隙腐蝕和應力腐蝕開(kāi)裂 等局部腐蝕研究。通過(guò)噪聲譜分析,可評估亞穩態(tài)蝕點(diǎn)或裂紋的誘導、生長(cháng)和死亡過(guò)程?;谠肼曤娮韬忘c(diǎn)蝕指數計算,也可用于局部腐蝕監測。 

     功率擴展
           CS系列電化學(xué)工作站的電流控制范圍為±2.0A,槽壓輸出≥21V,可滿(mǎn)足燃料動(dòng)力電池、大功率電池充放電、電化學(xué)電解或電沉積等領(lǐng)域的需求。采用專(zhuān)用的功率擴展器,大輸出電流可達20A,槽壓±200V。
     ⑤全浮地測量
           CS系列電化學(xué)工作站采用全浮地式工作電,可用于工作電本身接地體系的電化學(xué)研究,如用于高壓釜電化學(xué)測試(釜體接地),大地中金屬構件(橋梁、混凝土鋼筋)的在線(xiàn)腐蝕研究等。
    光電測試模塊
           CS電化學(xué)工作站可以與光強計、分光光度計聯(lián)用,用于光電化學(xué)測量,在進(jìn)行電化學(xué)測量的同時(shí)記錄光電流或光譜響應信號。
    自定義方法
           支持用戶(hù)自定義組合測量,用戶(hù)可以設定定時(shí)循環(huán)進(jìn)行某一測試方法或多種方法的組合測試,用于無(wú)人值守下的定時(shí)自動(dòng)測量;
           提供API通用接口函數和開(kāi)發(fā)實(shí)例,方便用戶(hù)二次開(kāi)發(fā)和自定義測試方法;
           提供用戶(hù)自定義腳本編寫(xiě)范例,用于實(shí)現您*的電化學(xué)實(shí)驗技術(shù)。

    2. 技術(shù)參數

    硬件參數指標

     恒電位控制范圍:±10V

     恒電流控制范圍:±2.0A

     電位控制精度:0.1%×滿(mǎn)量程讀數±1mV

     電流控制精度:0.1%×滿(mǎn)量程讀數

     電位靈敏度:10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)

     電流靈敏度:1pA

     電位上升時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)

     電流量程:2nA2A, 10

     參比電輸入阻抗:1012Ω||20pF

     大輸出電流:2.0A

     槽壓輸出:±21V (可擴展至±200V)

     電流掃描增量:1mA @1A/mS

     CVLSV掃描速度:0.001mV10000V/s

     電位掃描電位增量:0.076mV @1V/mS

     CACC脈沖寬度:0.000165000s

     DPVNPV脈沖寬度:0.00011000s

     SWV頻率:0.001100KHz

     CV的小電位增量:0.075mV

     AD數據采集:16bit@1MHz,20bit @1KHz

     電流與電位量程:自動(dòng)設置

     DA分辨率:16bit,建立時(shí)間:1μS

     低通濾波器 8段可編程

     通訊接口:USB2.0

     儀器重量:6.5Kg

     外形尺寸(cm):36.4(W)X32.0 (D)X16.0 (H)


     

    配置
    1)儀器主機1
    2CS Studio測試與分析軟件1 
    3)模擬電解池1個(gè)  
    4)電源線(xiàn)/USB數據線(xiàn)各1
    5)電電纜線(xiàn)1
    6)電腦(選配*

    3. 功能方法

    CS單通道系列不同型號功能方法比較

    功能方法

    CS150H

    CS300H

    CS310H

    CS350H

    穩態(tài)化

     開(kāi)路電位(OCP

     恒電位化(i-t曲線(xiàn))

     恒電流化

     動(dòng)電位掃描(Tafel曲線(xiàn))

     動(dòng)電流掃描(DGP

     電位掃描-階躍




    暫態(tài)化

     任意恒電位階梯波

     任意恒電流階梯波

     恒電位階躍(VSTEP

     恒電流階躍(ISTEP

    計時(shí)分析

     計時(shí)電位法(CP


     計時(shí)電流法(CA


     計時(shí)電量法(CC


    伏安分析

     線(xiàn)性?huà)呙璺玻?/span>LSV

     線(xiàn)性循環(huán)伏安(CV

     階梯循環(huán)伏安(SCV



     方波伏安(SWV



     差分脈沖伏安(DPV



     常規脈沖伏安(NPV



     差分常規脈沖伏安(DNPV



     交流伏安(ACV



     二次諧波交流伏安(SHACV



     傅里葉變換交流伏安(FTACV



    電流檢測

     差分脈沖電流檢測(DPA




     雙差分脈沖電流檢測(DDPA




     三脈沖電流檢測(TPA




     積分脈沖電流檢測(IPAD




    溶出伏安

     電位溶出分析(PSA



     線(xiàn)性?huà)呙枞艹龇玻?/span>LSSV



     階梯溶出伏安(SCSV



     方波溶出伏安(SWSV



     差分脈沖溶出伏安(DPSV



     常規脈沖溶出伏安(NPSV



     差分常規脈沖溶出伏安(DNPSV



    交流阻抗

     阻抗-頻率掃描



     阻抗-時(shí)間掃描



     阻抗-電位掃描(Mott-Schottky 曲線(xiàn))



    充放電測試

     電池充放電

     恒電流充放電(GCD

     恒電位充放電

     恒電位間歇滴定技術(shù)(PITT

     恒電流間歇滴定技術(shù)(GITT

    雙恒測量

     氫擴散測試(HDT





     盤(pán)環(huán)電測試





    擴展測量

     電化學(xué)噪聲(EN

     數字記錄儀

     電化學(xué)溶解/沉積

     控制電位電解庫倫法(BE

     動(dòng)電位再活化法(EPR

     溶液電阻測量

     循環(huán)化曲線(xiàn)(CPP

     

    注:

    *氫擴散及旋轉盤(pán)環(huán)電測試需配置CS1002恒電位/恒電流儀或采用CS2350雙恒電位儀。
    *光電測量功能用戶(hù)選配。
    *產(chǎn)品3年質(zhì)保。




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